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FQD12N20LTM
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$47.450 | NT$47.45 |
| 總計 價格 | NT$47.45 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$47.450 |
| 10+ | NT$28.990 |
| 100+ | NT$19.760 |
| 500+ | NT$15.440 |
| 1000+ | NT$15.140 |
| 5000+ | NT$14.830 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FQD12N20LTM复制
製造商標準前置時間11 週
訂購代碼
複捲式2453433RL
條帶式包裝2453433
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.28ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
產品總覽
The FQD12N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 16nC typical low gate charge
- 17pF typical low Crss
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00026