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FQP55N10
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220, Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$99.320 |
| 10+ | NT$64.460 |
| 100+ | NT$47.370 |
| 500+ | NT$39.810 |
| 1000+ | NT$34.540 |
| 5000+ | NT$33.850 |
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FQP55N10
訂購代碼3368820
Product RangeQFET
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation155W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeQFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
155W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002