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MJD122T4G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$29.290 | NT$146.45 |
| 總計 價格 | NT$146.45 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$29.290 |
| 50+ | NT$24.820 |
| 100+ | NT$20.330 |
| 500+ | NT$15.900 |
| 1000+ | NT$14.460 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 2500+ | NT$14.170 |
| 7500+ | NT$13.890 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MJD122T4G复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
整卷2441272
複捲式2317578RL
條帶式包裝2317578
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current8A
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transition Frequency4MHz
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
產品總覽
The MJD122T4G is a 8A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
應用
Industrial, Power Management, Automotive
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
20W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
8A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
1000hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
MJD122T4G 的替代選擇
找到 3 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00033