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MJD200G
TRANSISTOR, RF
无库存
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MJD200G复制
訂購代碼1611254
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max25V
Continuous Collector Current5A
Power Dissipation1.4W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency65MHz
DC Current Gain hFE Min65hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MJD200G 的替代選擇
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技術規格
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
65hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
1.4W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
65MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Vietnam
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Vietnam
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001