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MJD200T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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|---|---|
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| 50+ | NT$12.310 |
| 100+ | NT$10.240 |
| 500+ | NT$8.430 |
| 1000+ | NT$7.700 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
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品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MJD200T4G
訂購代碼2464109
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max25V
Continuous Collector Current5A
Power Dissipation12.5W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency65MHz
DC Current Gain hFE Min70hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
12.5W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
65MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004536