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MJD210G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MJD210G
訂購代碼1459085
技術資料表
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max25V
Continuous Collector Current5A
Power Dissipation1.4W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency65MHz
DC Current Gain hFE Min3hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
產品總覽
The MJD210G is a 5A PNP bipolar Power Transistor designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications.
- Complementary device
- High current-gain - bandwidth product (fT = 65MHz minimum @ IC = 100mA DC)
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
應用
Industrial, Power Management, Automotive
技術規格
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
3hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
1.4W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
65MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Vietnam
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Vietnam
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000454