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MJD44E3T4G
Darlington Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$37.780 | NT$37.78 |
| 總計 價格 | NT$37.78 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$37.780 |
| 10+ | NT$23.690 |
| 100+ | NT$15.530 |
| 500+ | NT$12.040 |
| 1000+ | NT$10.920 |
| 5000+ | NT$10.710 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MJD44E3T4G复制
製造商標準前置時間12 週
訂購代碼
複捲式2727980RL
條帶式包裝2727980
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Power Dissipation Pd1.75W
DC Collector Current10A
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
1.75W
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
DC Collector Current
10A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000457