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MJD45H11-1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Through Hole
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MJD45H11-1G
訂購代碼2727981
技術資料表
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation20W
Transistor Case StyleTO-251
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency90MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
技術規格
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
8A
Transistor Case Style
TO-251
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
20W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
90MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000844