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MMBFJ309LT1G
JFET Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$4.830 | NT$24.15 |
| 總計 價格 | NT$24.15 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$4.830 |
| 50+ | NT$4.320 |
| 100+ | NT$3.810 |
| 500+ | NT$3.430 |
| 1500+ | NT$3.360 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$3.290 |
| 9000+ | NT$3.230 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MMBFJ309LT1G复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼
整卷2442050
複捲式1431339RL
條帶式包裝1431339
技術資料表
Gate Source Breakdown Voltage Max-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max30mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-4V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The MMBFJ309LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
- 25VDC Drain-source voltage
- 25VDC Gate-source voltage
- 10mA Gate current
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Gate Source Breakdown Voltage Max
-25V
Gate Source Cutoff Voltage Max
-4V
No. of Pins
3 Pin
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Zero Gate Voltage Drain Current Max
30mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001058