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MMBT2369ALT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$4.580 | NT$22.90 |
| 總計 價格 | NT$22.90 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$4.580 |
| 50+ | NT$3.700 |
| 100+ | NT$2.810 |
| 500+ | NT$1.780 |
| 1500+ | NT$1.750 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$1.590 |
| 9000+ | NT$1.560 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MMBT2369ALT1G
訂購代碼
整卷2441369
複捲式1653624RL
條帶式包裝1653624
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max15V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation300mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The MMBT2369ALT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose switching applications and is housed in the surface-mount package. This device is ideal for low-power surface-mount applications.
- Halogen-free
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
應用
Industrial, Power Management, Automotive
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
15V
Power Dissipation
300mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000051