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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$3.940 | NT$19.70 |
| 總計 價格 | NT$19.70 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$3.940 |
| 50+ | NT$2.450 |
| 250+ | NT$1.780 |
| 1000+ | NT$1.140 |
| 13500+ | NT$1.120 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MMBT5089LT1G
訂購代碼
複捲式1653625RL
條帶式包裝1653625
Product RangeMMBTxxxx
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max25V
Continuous Collector Current50mA
Power Dissipation225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency50MHz
DC Current Gain hFE Min50hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMMBTxxxx
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The MMBT5089LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for high gain and low noise general purpose amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
應用
Industrial, Power Management, Automotive
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
50mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
50hFE
Product Range
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
225mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
50MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000363