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MMBT5551LT1G
TRANSISTOR, NPN, SOT-23
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$2.690 |
| 50+ | NT$2.150 |
| 100+ | NT$1.610 |
| 500+ | NT$1.130 |
| 1500+ | NT$1.110 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
NT$13.45
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MMBT5551LT1G
訂購代碼1459109
Product RangeMMBTxxxx
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max160V
Continuous Collector Current600mA
Power Dissipation225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min80hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMMBTxxxx
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
- Halogen-free
應用
Automotive, Industrial
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
600mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Product Range
MMBTxxxx
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
160V
Power Dissipation
225mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.09