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MMBTH10LT1G
Bipolar - RF Transistor, General Purpose, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MMBTH10LT1G
訂購代碼1459112
Product RangeMMBTxxxx
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max25V
Transition Frequency650MHz
Power Dissipation225mW
Continuous Collector Current4mA
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min60hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMMBTxxxx
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The MMBTH10LT1G is an NPN Silicon VHF/UHF Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
- Halogen-free
應用
RF Communications, Industrial
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
650MHz
Continuous Collector Current
4mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
225mW
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000309