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MMUN2111LT1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$2.860 | NT$14.30 |
| 總計 價格 | NT$14.30 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$2.860 |
| 50+ | NT$1.800 |
| 250+ | NT$1.300 |
| 1000+ | NT$0.630 |
| 15000+ | NT$0.618 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MMUN2111LT1G复制
製造商標準前置時間15 週
訂購代碼
複捲式9556702RL
條帶式包裝9556702
技術資料表
Transistor PolaritySingle PNP
Digital Transistor PolaritySingle PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current Ic100mA
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R210kohm
Resistor Ratio, R1 / R21(Ratio)
Transistor Case StyleSOT-23
RF Transistor CaseSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation400mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min35hFE
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Transistor Polarity
Single PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
10kohm
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
400mW
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Digital Transistor Polarity
Single PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Continuous Collector Current Ic
100mA
Base Input Resistor R1
10kohm
Resistor Ratio, R1 / R2
1(Ratio)
RF Transistor Case
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004536