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NCV8402ADDR2G
Power MOSFET, N Channel, SOIC
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$29.290 | NT$146.45 |
| 總計 價格 | NT$146.45 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$29.290 |
| 50+ | NT$26.830 |
| 100+ | NT$24.360 |
| 500+ | NT$23.370 |
| 1000+ | NT$23.010 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 2500+ | NT$21.480 |
| 7500+ | NT$21.060 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NCV8402ADDR2G复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼
整卷2985521
複捲式2533221RL
條帶式包裝2533221
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel42V
Drain Source Voltage Vds P Channel42V
Continuous Drain Current Id N Channel2A
Transistor Case StyleSOIC
Continuous Drain Current Id P Channel2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.165ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.165ohm
Power Dissipation N Channel1.62W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation P Channel1.62W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
警告
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技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
42V
Transistor Case Style
SOIC
Drain Source On State Resistance N Channel
0.165ohm
Power Dissipation N Channel
1.62W
Power Dissipation P Channel
1.62W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
42V
Continuous Drain Current Id N Channel
2A
Continuous Drain Current Id P Channel
2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.165ohm
No. of Pins
8Pins
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000117