列印頁面
NTBG045N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTBG045N065SC1复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼
整卷4067376
複捲式3766198RL
條帶式包裝3766198
Product RangeEliteSiC Series
您的零件号
636 有存貨
需要更多？
636 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$777.730 | NT$777.73 |
| 總計 價格 | NT$777.73 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$777.730 |
| 10+ | NT$479.630 |
| 50+ | NT$470.040 |
| 100+ | NT$460.450 |
| 250+ | NT$450.860 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$442.010 |
| 10+ | NT$405.880 |
| 25+ | NT$369.740 |
| 50+ | NT$333.600 |
| 100+ | NT$297.460 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTBG045N065SC1复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼
整卷4067376
複捲式3766198RL
條帶式包裝3766198
Product RangeEliteSiC Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id62A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation242W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
62A
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
242W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
相關產品
找到 2 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001821