列印頁面
NTBLS1D7N08H
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 203 A, 1290 µohm, TO-LL, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
802 有存貨
需要更多？
802 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$195.550 | NT$195.55 |
| 總計 價格 | NT$195.55 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$195.550 |
| 5+ | NT$183.840 |
| 10+ | NT$172.130 |
| 50+ | NT$160.420 |
| 100+ | NT$148.710 |
| 250+ | NT$136.990 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTBLS1D7N08H复制
製造商標準前置時間21 週
訂購代碼
複捲式3766200RL
條帶式包裝3766200
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id203A
Drain Source On State Resistance1290µohm
Transistor Case StyleTO-LL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation167W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
203A
Transistor Case Style
TO-LL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1290µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001027