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NTH4L045N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
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|---|---|
| 1+ | NT$391.250 |
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| 10+ | NT$293.280 |
| 50+ | NT$281.850 |
| 100+ | NT$270.420 |
| 250+ | NT$258.990 |
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTH4L045N065SC1复制
製造商標準前置時間14 週
訂購代碼3766206
Product RangeEliteSiC Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation187W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
55A
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
187W
Product Range
EliteSiC Series
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.008346