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NTJD4001NT1G
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 250 mA, 1 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$9.060 | NT$45.30 |
| 總計 價格 | NT$45.30 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$9.060 |
| 50+ | NT$7.410 |
| 100+ | NT$5.750 |
| 500+ | NT$3.810 |
| 1500+ | NT$3.740 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$2.770 |
| 9000+ | NT$2.720 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTJD4001NT1G复制
製造商標準前置時間27 週
訂購代碼
整卷2442223
複捲式1704019RL
條帶式包裝1704019
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel250mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel272mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The NTJD4001NT1G is a dual N-channel small signal MOSFET designed for Li−Ion battery supplied devices like cell phones, PDAs and DSC. It is suitable for low side load switch, buck converters and level shift applications.
- Low gate charge for fast switching
- ESD protected gate
應用
Industrial, Automotive, Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
250mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
272mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
NTJD4001NT1G 的替代選擇
找到 2 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004581