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NTMFS0D6N03CT1G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 433 A, 520 µohm, SOIC, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$107.400 | NT$107.40 |
| 總計 價格 | NT$107.40 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$107.400 |
| 10+ | NT$69.570 |
| 100+ | NT$47.960 |
| 500+ | NT$43.910 |
| 1000+ | NT$37.150 |
| 5000+ | NT$36.410 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTMFS0D6N03CT1G复制
製造商標準前置時間27 週
訂購代碼
複捲式3677727RL
條帶式包裝3677727
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id433A
Drain Source On State Resistance520µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation200W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
433A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
520µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001