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NTMS10P02R2G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 8.8 A, 0.014 ohm, SOIC, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$73.540 | NT$73.54 |
| 總計 價格 | NT$73.54 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$73.540 |
| 10+ | NT$47.040 |
| 100+ | NT$31.780 |
| 500+ | NT$25.290 |
| 1000+ | NT$25.250 |
| 5000+ | NT$25.200 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTMS10P02R2G复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
複捲式2533197RL
條帶式包裝2533197
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id8.8A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max880mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.8A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
880mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000321