列印頁面
NTR1P02T1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
8,769 有存貨
需要更多？
8,769 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$13.030 | NT$65.15 |
| 總計 價格 | NT$65.15 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$13.030 |
| 50+ | NT$10.650 |
| 100+ | NT$8.260 |
| 500+ | NT$5.540 |
| 1500+ | NT$5.430 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$4.030 |
| 9000+ | NT$3.950 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTR1P02T1G复制
製造商標準前置時間20 週
訂購代碼
整卷2317889
複捲式2317617RL
條帶式包裝2317617
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The NTR1P02T1G is a P-channel Power MOSFET features ultra-low on-resistance provides higher efficiency and extends battery life.
應用
Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
NTR1P02T1G 的替代選擇
找到 4 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000033