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NTR2101PT1G
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$8.970 | NT$44.85 |
| 總計 價格 | NT$44.85 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$8.970 |
| 50+ | NT$7.260 |
| 100+ | NT$5.550 |
| 500+ | NT$4.150 |
| 1500+ | NT$4.070 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$3.690 |
| 9000+ | NT$3.620 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTR2101PT1G复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼
整卷2317890
複捲式1431297RL
條帶式包裝1431297
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id3.7A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation960mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The NTR2101PT1G is a P-channel Small-signal MOSFET offers -8V drain source voltage and -3.7A continuous drain current. It is suitable for DC-to-DC converters, high side load switch, cellular phone, notebook, PDAs.
- Leading Trench technology for low RDS (ON)
- -1.8V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint (3 x 3mm)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
應用
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, Industrial
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.7A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000037