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NTR4170NT1G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$21.110 | NT$105.55 |
| 總計 價格 | NT$105.55 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$21.110 |
| 50+ | NT$17.240 |
| 100+ | NT$13.360 |
| 500+ | NT$6.100 |
| 1500+ | NT$5.980 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$4.770 |
| 9000+ | NT$4.160 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTR4170NT1G复制
製造商標準前置時間21 週
訂購代碼
整卷2442258
複捲式2533202RL
條帶式包裝2533202
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.4A
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation480mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The NTR4170NT1G is a N-channel Power MOSFET offers 30V drain source voltage and 2.4A continuous drain current. It is suitable for power converters for portables, battery management and load/power switch applications.
- Low RDS (ON)
- Low gate charge
- Low threshold voltage
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
應用
Power Management, Portable Devices, Industrial
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
480mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000002