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NTS2101PT1G
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$9.930 | NT$49.65 |
| 總計 價格 | NT$49.65 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$9.930 |
| 50+ | NT$8.440 |
| 100+ | NT$6.950 |
| 500+ | NT$4.910 |
| 1500+ | NT$4.810 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$4.710 |
| 9000+ | NT$4.620 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTS2101PT1G复制
製造商標準前置時間21 週
訂購代碼
整卷2442262
複捲式1453612RL
條帶式包裝1453612
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation290mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The NTS2101PT1G is a P-channel Power MOSFET offers -8V drain source voltage and -1.4A continuous drain current. It is suitable for high side load switch, charging circuit, single cell battery applications such as cell phones, digital cameras and PDAs.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
- -1.8V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint (2 x 2mm)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
應用
Power Management, Portable Devices, Industrial
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
290mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000005