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NTZS3151PT1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$8.320 | NT$41.60 |
| 總計 價格 | NT$41.60 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$8.320 |
| 50+ | NT$5.250 |
| 250+ | NT$3.920 |
| 1000+ | NT$3.500 |
| 2000+ | NT$3.120 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 4000+ | NT$2.210 |
| 12000+ | NT$2.170 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTZS3151PT1G复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼
整卷2442272
複捲式2533210RL
條帶式包裝2533210
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id860mA
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StyleSOT-563
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation210mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
860mA
Transistor Case Style
SOT-563
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
210mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000003