列印頁面
NVJS4151PT1G
Power MOSFET, Trench, P Channel, 20 V, 3.2 A, 0.067 ohm, SOT-363, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
41 有存貨
需要更多？
41 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
存貨供應完畢便停止銷售
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$39.120 |
| 10+ | NT$27.910 |
| 100+ | NT$17.390 |
| 500+ | NT$12.010 |
| 1000+ | NT$11.770 |
| 5000+ | NT$11.530 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
NT$195.60
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NVJS4151PT1G复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼3368860
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source On State Resistance0.067ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation1.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.067ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0004