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NVMFS6H864NT1G
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 21 A, 0.032 ohm, DFN, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$55.630 | NT$55.63 |
| 總計 價格 | NT$55.63 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$55.630 |
| 10+ | NT$26.390 |
| 100+ | NT$23.550 |
| 500+ | NT$18.510 |
| 1000+ | NT$16.980 |
| 5000+ | NT$15.440 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NVMFS6H864NT1G复制
製造商標準前置時間21 週
訂購代碼
複捲式2981238RL
條帶式包裝2981238
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation33W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
產品總覽
警告
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
33W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001361