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NVR1P02T1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$18.560 | NT$92.80 |
| 總計 價格 | NT$92.80 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$18.560 |
| 10+ | NT$11.670 |
| 100+ | NT$7.900 |
| 500+ | NT$6.270 |
| 1000+ | NT$5.220 |
| 5000+ | NT$5.120 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NVR1P02T1G复制
製造商標準前置時間12 週
訂購代碼
複捲式2724435RL
條帶式包裝2724435
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.148ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.148ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000002