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NXH100B120H3Q0STG
IGBT Module, Dual, 50 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, PIM
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NXH100B120H3Q0STG复制
製造商標準前置時間14 週
訂購代碼3265490
Product RangeNXH100B120H3Q0
技術資料表
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.77V
Power Dissipation186W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product RangeNXH100B120H3Q0
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
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技術規格
IGBT Configuration
Dual
Collector Emitter Saturation Voltage
1.77V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
NXH100B120H3Q0
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
186W
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001