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BC63916-D27Z
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Through Hole
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$13.320 | NT$66.60 |
| 總計 價格 | NT$66.60 | ||
條帶式包裝
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$13.320 |
| 50+ | NT$10.910 |
| 100+ | NT$8.500 |
| 500+ | NT$6.410 |
| 1000+ | NT$6.280 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 2000+ | NT$6.150 |
| 6000+ | NT$6.030 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號BC63916-D27Z复制
製造商標準前置時間20 週
訂購代碼
整卷2985347
條帶式包裝2453811
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation830mW
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min25hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The BC63916_D27Z is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for use in switching and amplifier applications.
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
應用
Power Management, Industrial
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1A
Transistor Case Style
TO-92
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
25hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
830mW
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000259