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FDB3652
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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可供訂購
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$108.990 | NT$108.99 |
| 總計 價格 | NT$108.99 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$108.990 |
| 10+ | NT$70.570 |
| 100+ | NT$48.700 |
| 500+ | NT$37.770 |
| 1000+ | NT$37.020 |
| 5000+ | NT$36.260 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDB3652复制
製造商標準前置時間20 週
訂購代碼
複捲式1700623RL
條帶式包裝1700623
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
產品總覽
The FDB3652 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and micro solar inverter.
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002