列印頁面
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。

不再生產
包裝選項
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDFMA3N109
訂購代碼
複捲式1324787RL
條帶式包裝1324787
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.9A
Drain Source On State Resistance0.123ohm
Transistor Case StyleµFET
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage1V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.9A
Transistor Case Style
µFET
Rds(on) Test Voltage
1V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.123ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
法規與環境保護
原產地:
承擔產品生產最後程序之國家原產地:United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地:United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定:是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤):.0005
