列印頁面
FDN338P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
3,733 有存貨
6,000 即日起您可預購補貨
3733 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$14.460 | NT$72.30 |
| 總計 價格 | NT$72.30 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$14.460 |
| 50+ | NT$11.890 |
| 100+ | NT$9.310 |
| 500+ | NT$6.330 |
| 1500+ | NT$6.210 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$6.080 |
| 9000+ | NT$5.960 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDN338P
訂購代碼
整卷2323186
複捲式9846301RL
條帶式包裝9846301
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance0.115ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The FDN338P is a 2.5V specified P-channel MOSFET uses advanced low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management and load switch applications. The SuperSOT™ -3 provides low RDS (ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
FDN338P 的替代選擇
找到 2 個產品
相關產品
找到 4 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004536