列印頁面
FQT7N10LTF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
2 有存貨
需要更多？
2 件可于 4-5 個工作日後配送(美國 件庫存)
存貨供應完畢便停止銷售
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$37.150 | NT$37.15 |
| 總計 價格 | NT$37.15 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$37.150 |
| 10+ | NT$26.420 |
| 100+ | NT$18.520 |
| 500+ | NT$15.540 |
| 1000+ | NT$9.200 |
| 5000+ | NT$9.020 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FQT7N10LTF复制
製造商標準前置時間48 週
訂購代碼
複捲式2101412RL
條帶式包裝2101412
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
FQT7N10LTF 的替代選擇
找到 2 個產品
產品總覽
The FQT7N10LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 5.8nC typical low gate charge
- 10pF typical low Crss
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000211