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MMBT4126LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
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| 10+ | NT$4.470 |
| 100+ | NT$3.110 |
| 500+ | NT$2.300 |
| 1000+ | NT$1.760 |
| 5000+ | NT$1.730 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
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品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MMBT4126LT1G复制
製造商標準前置時間12 週
訂購代碼2724359
技術資料表
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max25V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency250MHz
DC Current Gain hFE Min60hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
225mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
250MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000002