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NDT2955
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$19.750 | NT$98.75 |
| 總計 價格 | NT$98.75 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$19.750 |
| 50+ | NT$13.650 |
| 250+ | NT$12.000 |
| 1000+ | NT$11.040 |
| 2000+ | NT$10.380 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 4000+ | NT$8.920 |
| 12000+ | NT$8.870 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NDT2955复制
製造商標準前置時間21 週
訂購代碼
整卷2323215
複捲式9846271RL
條帶式包裝9846271
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The NDT2955 is a surface mount, 60V P channel enhancement mode field effect transistors in SOT-223 package. Transistor is produced using high voltage trench process and suitable for power management applications.
- High density cell design for extremely low Rds(ON)
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -2.5A
- Power dissipation (pd) of 3W
- Low on state resistance of 163mohm at Vgs -4.5V
- Operating temperature range -55°C to 150°C
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000199