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製造商ONSEMI
製造商產品編號NIF5002NT1G复制
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複捲式1453669RL
條帶式包裝1453669
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds42V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.165ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
NIF5002NT1G 的替代選擇
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
42V
Drain Source On State Resistance
0.165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
技術文件 (1)
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找到 3 個產品
法規與環境保護
原產地:
承擔產品生產最後程序之國家原產地:United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地:United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定:是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤):.000124
