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NJW1302G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Through Hole
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NJW1302G复制
製造商標準前置時間55 週
訂購代碼2535654
技術資料表
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max250V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation200W
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min45hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
產品總覽
The NJW1302G are power transistors for high power audio, disk head positioners and other linear applications.
- Exceptional safe operating area
- NPN/PNP gain matching within 10% from 50 mA to 5 A
- Excellent gain linearity
- High BVCEO
- High frequency
應用
Audio, Sound & Video
技術規格
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-3P
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
45hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
250V
Power Dissipation
200W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.005216