列印頁面
NTBG014N120M3P
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
可供訂購
製造商標準交貨時間：1 週
有貨時通知我
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 800+ | NT$1,177.980 |
價格Each
最少: 800
多項: 800
NT$942,384.00
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTBG014N120M3P复制
製造商標準前置時間1 週
訂購代碼4143092
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id104A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.63V
Power Dissipation227W
Operating Temperature Max175°C
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
104A
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.63V
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
227W
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001843