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NTBG060N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK)
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製造商ONSEMI
製造商產品編號NTBG060N065SC1复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼
複捲式4051292RL
條帶式包裝4051292
Product RangeEliteSiC Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 複捲式 | 1 | NT$396.740 | NT$396.74 |
| 總計 價格 | NT$396.74 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$396.740 |
| 5+ | NT$310.090 |
| 10+ | NT$223.440 |
| 50+ | NT$220.690 |
| 100+ | NT$217.940 |
| 250+ | NT$213.590 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTBG060N065SC1复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼
複捲式4051292RL
條帶式包裝4051292
Product RangeEliteSiC Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation170W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
46A
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
170W
Product Range
EliteSiC Series
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0004