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NTBL060N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
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製造商ONSEMI
製造商產品編號NTBL060N065SC1复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼
複捲式4472904RL
條帶式包裝4472904
Product RangeEliteSiC Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$326.190 | NT$326.19 |
| 總計 價格 | NT$326.19 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$326.190 |
| 5+ | NT$253.210 |
| 10+ | NT$180.220 |
| 50+ | NT$174.780 |
| 100+ | NT$169.340 |
| 250+ | NT$165.960 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTBL060N065SC1复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼
複捲式4472904RL
條帶式包裝4472904
Product RangeEliteSiC Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleH-PSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation170W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
46A
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H-PSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
170W
Product Range
EliteSiC Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001