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NTF3055L108T1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$45.930 | NT$45.93 |
| 總計 價格 | NT$45.93 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$45.930 |
| 10+ | NT$21.480 |
| 50+ | NT$19.090 |
| 200+ | NT$16.990 |
| 500+ | NT$14.890 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1000+ | NT$12.270 |
| 3000+ | NT$12.030 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTF3055L108T1G复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
整卷2317880
複捲式1431323RL
條帶式包裝1431323
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.68V
Power Dissipation2.1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The NTF3055L108T1G is a N-channel logic level Power MOSFET, designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
應用
Automotive, Motor Drive & Control, Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
2.1W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.68V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000199