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NTMS4816NR2G.
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 11 A, 8200 µohm, SOIC, Surface Mount
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不再生產
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTMS4816NR2G.复制
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複捲式2845385RL
條帶式包裝2845385
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance8200µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2.04W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
NTMS4816NR2G. 的替代選擇
找到 8 個產品
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.04W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
8200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001