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NVBG030N120M3S-IE
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK
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| 5+ | NT$637.830 |
| 10+ | NT$590.830 |
| 50+ | NT$566.990 |
| 100+ | NT$560.110 |
| 250+ | NT$547.480 |
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NVBG030N120M3S-IE
訂購代碼4854142
Product RangeEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id77A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
77A
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.01