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NVBLS1D2N08XTXG
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$175.880 | NT$175.88 |
| 總計 價格 | NT$175.88 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$175.880 |
| 10+ | NT$124.390 |
| 100+ | NT$108.720 |
| 500+ | NT$106.550 |
| 1000+ | NT$104.380 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NVBLS1D2N08XTXG复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼
複捲式4750165RL
條帶式包裝4750165
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id299A
Drain Source On State Resistance1100µohm
Transistor Case StyleH-PSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation197W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
299A
Transistor Case Style
H-PSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
197W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001