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NVBYST1D4N08XTXG
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 396 A, 0.0014 ohm, TCPAK, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$161.910 | NT$161.91 |
| 總計 價格 | NT$161.91 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$161.910 |
| 10+ | NT$106.730 |
| 100+ | NT$88.740 |
| 500+ | NT$82.170 |
| 1000+ | NT$80.500 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NVBYST1D4N08XTXG复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
複捲式4904488RL
條帶式包裝4904488
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id396A
Drain Source On State Resistance0.0014ohm
Transistor Case StyleTCPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation441W
No. of Pins16Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
396A
Transistor Case Style
TCPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
441W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
16Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.015