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NVJD5121NT2G
Dual MOSFET, Dual N Channel, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$13.920 | NT$69.60 |
| 總計 價格 | NT$69.60 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$13.920 |
| 10+ | NT$8.580 |
| 100+ | NT$5.410 |
| 500+ | NT$4.050 |
| 1000+ | NT$3.560 |
| 5000+ | NT$3.490 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NVJD5121NT2G复制
製造商標準前置時間21 週
訂購代碼
複捲式4317980RL
條帶式包裝4317980
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel295mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel1.6ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSC-88
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
295mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.6ohm
Transistor Case Style
SC-88
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000002