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NVMFD5873NLWFT1G-UM
Dual MOSFET, Dual N Channel, 60 V, 58 A, 0.013 ohm
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$97.280 |
| 10+ | NT$48.490 |
| 100+ | NT$43.680 |
| 500+ | NT$42.810 |
| 1000+ | NT$41.940 |
| 5000+ | NT$41.060 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NVMFD5873NLWFT1G-UM复制
製造商標準前置時間26 週
訂購代碼
條帶式包裝4843827
條帶式包裝4843827RL
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel58A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.013ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleWFDFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel107W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
58A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.013ohm
Transistor Case Style
WFDFN
Power Dissipation N Channel
107W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001