列印頁面
NVMFS5830NLWFT1G-UM
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 185 A, 0.0023 ohm, WFDFN, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
1,500 有存貨
需要更多？
1,500 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$102.420 |
| 10+ | NT$66.330 |
| 100+ | NT$45.660 |
| 500+ | NT$44.750 |
| 1000+ | NT$43.840 |
| 5000+ | NT$42.930 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
NT$102.42
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NVMFS5830NLWFT1G-UM复制
製造商標準前置時間25 週
訂購代碼
條帶式包裝4843830
條帶式包裝4843830RL
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id185A
Drain Source On State Resistance0.0023ohm
Transistor Case StyleWFDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation158W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
185A
Transistor Case Style
WFDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
158W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001